日本东京工业大学开发出新氧化物半导体提高OLED显示器稳定度

东京工业大学（TokyoInstituteofTechnology）的研究人员研发出有精致的半透明氧化物半导体材料，当设计于OLED显示器的电子流经层和传输层时，需要提升电子迁移率。由东京工业大学创意研究所（InstituteofInnovativeResearch）教授细野秀雄（HideoHosono）主导的这项研究，是日本科学技术大力发展机构（JapanScienceandTechnologyAgency；JST）「策略基本研究计划」（StrategicBasicResearchPrograms）的一部份。研究人员专心于铟镓锌氧－薄膜晶体管（IGZO－TFT）如何应用于在OLED显示器上，因而顺利地利用半透明非晶氧化物研发用作电子流经层和电子传输层的新材料。

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